本站 7 月 9 工业和信息化部今天宣布了光伏制造业的标准条件(2024年) 《光伏制造业规范公告管理办法》(2024) 年本)公开征求意见(征求意见稿)。

《光伏制造业规范条件》(2024) 年本)(征求意见稿)中提到，

1. 引导光伏企业减少光伏制造项目，简单扩大生产能力，加强技术创新，提高产品质量，降低生产成本。最低资本比例为光伏制造项目的新建和改扩建 30%。

2. 光伏制造项目的电耗应满足以下要求：

• 现有多晶硅项目的还原电耗小于 46 千瓦时 / 综合功耗小于kg 60 千瓦时 / 公斤；新建改扩建项目还原能耗小于 44 千瓦时 / 综合功耗小于kg 57 千瓦时 / 千克。
• 现有硅锭工程的平均综合功耗小于 7.5 千瓦时 / 公斤以下，新建改扩建工程小于 6.5 千瓦时 / 公斤；如果采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品，项目平均综合功耗不得超过 0.5 千瓦时 / 千克。
• 现有硅棒项目的平均综合功耗小于现有硅棒项目的平均综合功耗 26 千瓦时 / 公斤以下，新建改扩建工程小于 23 千瓦时 / 千克。
• 现有多晶硅片工程的平均综合电耗小于 25 万千瓦时 / 新建、改扩建项目百万件以下 20 万千瓦时 / 现有单晶硅片项目平均综合功耗小于100万件 10 万千瓦时 / 新建、改扩建项目百万件以下 8 万千瓦时 / 百万片。
• P 晶晶硅电池项目平均综合电耗小于 5 万千瓦时 / MWp，N 晶晶硅电池项目平均综合电耗小于 7 万千瓦时 / MWp。
• 晶晶硅组件项目平均综合电耗小于 2.5 万千瓦时 / MWp，薄膜组件工程的平均电耗小于 40 万千瓦时 / MWp。

3. 新建、改扩建企业和项目产品应满足以下要求：

• 电子级多晶硅多晶硅多晶硅多晶硅（GB / T12963）3 等级以上要求或流化床法颗粒硅（GB / T35307)特级产品要求。
• 少子多晶硅片(含准单晶硅片)的寿命不低于 2.5μs，碳、氧含量分别小于 6ppma 和 8ppma；P 单晶硅片少子寿命不低于少子寿命 90μs，N 单晶硅片少子寿命不低于少子寿命 1000μs，碳、氧含量分别小于 1ppma 和 12ppma，用于异质结电池 N 单晶硅片少子寿命不低于少子寿命 700μs，碳、氧含量分别小于 1ppma 和 14ppma。
• 多晶硅电池，P 型单晶硅电池和 N 型单晶硅电池(双面电池按正面效率计算)的平均光电转换效率不低于 21.7%、23.7% 和 26%。
• 多晶硅组件，P 型单晶硅组件和 N 型单晶硅组件(双面组件按正面效率计算)的平均光电转换效率不低于 19.7%、21.8% 和 23.1%。CIGS、CdTe 其他薄膜组件的平均光电转换效率不低于 16%、16.5%、15%。

以上是工业和信息化部计划进一步明确光伏制造项目的功耗要求，引导企业减少简单扩大产能的项目的详细内容。请多关注其他相关文章！

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